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IXXN110N65C4H1中文资料

IXXN110N65C4H1图片

IXXN110N65C4H1外观图

  • 大小:212KB
  • 厂家:
  • 描述:IGBT 650V 210A 750W SOT227B
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥256.15000管件
  • 系列:XPT?, GenX4?
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:PT
  • 配置:单路
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):210 A
  • 功率 - 最大值:750 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,110A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):50 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies):3.69 nF @ 25 V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:无
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商器件封装:SOT-227B

IXXN110N65C4H1供应商

更新时间:2023-01-11 06:27:48
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